长江存储，这家中国闪存芯片制造商，近期显露出其雄心壮志，计划在2027年底之前，跻身全球最大闪存制造商的行列，超越三星和SK海力士。根据美国科技媒体《Tom’s HARDWARE》的报道，长江存储正在利用国产制造设备建设其生产线，由于闪存芯片的制造过程中不依赖于先进的EUV光刻机，这为其市场发展提供了机会。然而，来自韩国的半导体专家崔正东对此表示冷静，认为长江存储短期内真正跃升至全球第一的可能性不大。尽管其市场份额在增长，但盈利能力及企业级固态硬盘（eSSD）市场的占比相对较小，这些都是评估市场地位的关键指标。

根据国际分析机构Counterpoint的数据显示，从2025年至2026年第一季度，长江存储的全球市场份额逐步上升，从最初的8%提升至13%。这一表现得益于中国本土厂商对闪存芯片的强劲需求，以及存储芯片价格的大幅上涨，进而推动了长江存储的出货量和收入，营收同比增长近445%。相比之下，其他闪存企业的市场份额则表现不同，有的保持稳定，有的则出现下滑。目前，三星和SK海力士的市场份额最高，分别为29%和18%。在全球第三大闪存制造商的竞争中，长江存储以14%的市场份额领先于其他企业。

不过，在2026年第二季度，市场排名再次发生变化。三星依然保持第一，但市场份额下降至25%；SK海力士及其子公司综合市场占比提升至22%。长江存储成功占据第三名的位置，其余厂商如铠侠、美光、闪迪则紧随其后。尽管长江存储在出货量和市场占比方面表现良好，营收规模却排在第五位，仍低于美光和铠侠。长江存储的产品主要集中在消费级领域，而三星、SK海力士和美光则更专注于利润更高的企业级SSD，这削弱了长江存储的收入水平。

不过，长江存储正在不断完善其企业级SSD产品布局，试图拓宽产品组合。面临的挑战与长鑫存储相似，两家中国存储芯片制造商在消费级市场具有一定的优势，但在AI产业需要的eSSD和HBM等高利润产品上相对不足。这些领域的市场基本被国际巨头占据，尽管中国存储芯片整体规模在扩大，但实际的产品收入依然无法与海外巨头相提并论。

在外部压力方面，长江存储在2022年由于受到美国出口管制影响，失去了访问先进制造设备的机会。此外，美国在2026年4月进一步将其列入重点管制对象，限制其获取DUV光刻机的能力。这一系列制裁措施旨在压制中国企业的产能扩张。闪存与逻辑芯片在设计与制造上存在根本差异，闪存不需要高度复杂的EUV光刻，主要依赖于高深宽比的刻蚀机和DUV光刻机。

长江存储的核心技术是Xtacking晶栈架构，该技术将存储单元与外围控制电路分别制造，并用混合键合技术进行垂直连接。这种方法的优势在于，外围电路减少了芯片占用面积，并提升了存储密度。同时，该技术缩短了开发与生产周期。自2018年底推出晶栈架构1.0以来，长江存储已经在闪存芯片密度上取得显著提高。2022年，其基于3.0架构实现了232层堆叠，领先于海外竞争对手。预计在2024年底推出的4.0晶栈架构将引入超连接技术，与美光最新的276层技术相媲美。

在技术研发的同时，长江存储自2022年起与国内设备厂商合作，致力于自主产业链的构建。北方华创、中微半导体、上海微电子等多家企业成为了其合作伙伴。2025年，长江存储与三星达成合作协议，利用其混合键合技术生产下一代10nm闪存芯片，这标志着国际巨头首次与中国存储企业展开技术合作，标志着中国存储技术在产业中产生了显著影响。尽管美国的制裁限制了长江存储的外部设备采购，但其依然推进国产化设备与自主制造体系，为未来的发展铺平道路。